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Zibo Yuhai Electronic Ceramic Co., Ltd.

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Elemento piezocerámico HIFU de alta potencia OD19.5x4MHz
Elemento piezocerámico HIFU de alta potencia OD19.5x4MHz
Elemento piezocerámico HIFU de alta potencia OD19.5x4MHz

Elemento piezocerámico HIFU de alta potencia OD19.5x4MHz

Información básica

    Modelo: OD19.5*4MHz R 19 PZT-82

DDescripción

Hemisferio cerámico piezoeléctrico

Dirección del electrodo: dirección del espesor


Aplicaciones: Ultrasonido enfocado de alta intensidad , transductor ultrasónico de alta potencia



El sistema de ultrasonido enfocado tiene buena penetración y localización de tejidos. Puede enfocar la energía a través del tejido superficial y el tejido objetivo a una profundidad específica para producir efectos biológicos, lo que puede hacer que el tejido patológico se recupere rápidamente. La dosificación de la terapia de ultrasonido focalizado es fácil de controlar y segura. Después del tratamiento, solo el tejido local tiene congestión transitoria y edema, y ​​las células de la superficie pueden permanecer intactas, recuperación rápida.

El enfoque por ultrasonido tiene buena penetración de tejido y almacenamiento de energía. El host genera señales eléctricas de alta frecuencia, que se convierten en ultrasonido focalizado por transductor. El ultrasonido se transmite a los tejidos de la lesión mediante el sistema de circulación de agua, la membrana de transmisión de sonido y el agente de acoplamiento de contacto. El ultrasonido puede producir efecto térmico, efecto mecánico, efecto de cavitación y efecto bioquímico en tejidos biológicos. Polaris utiliza estas características para actuar sobre tejidos patológicos para degenerarlos, promover la reconstrucción de tejidos y mejorar la microcirculación para lograr fines terapéuticos.



Material: PZT-82 ( PZT P-8 duro )


Datos técnicos:

Dimensiones: diámetro 19.5 mm, grosor según frecuencia 4MHz, R 19

Espesor Frecuencia Ft: 4MHz ± 100KHz

Frecuencia radial Fr: 112KHz ± 5%

Coeficiente de acoplamiento electromecánico Kp: ≥ 0.57

Impedancia resonante Zm: ≤ 3 Ω

Pérdida dieléctrica tg δ: 0.3%

Capacitancia estática Cs: 7200pF ± 20%



Condición de prueba: 25 ± 3 ° C 40 ~ 70% RH
fr, Zm, Kr => Vibración en modo radial
Cs tanδ => medidor LCR a 1KHz 1Vrms



PZT-82 es igual a PZT-8, PZT duro para mayor factor de calidad mecánica, menor pérdida dieléctrica requerida y transductores de capacidad de manejo de potencia mucho más altos, etc.


Material piezoeléctrico YUHAI para HIFU systerm:


Typical value of piezoelectric ceramic materials performance
"Hard" PZT materials
Properties PZT-41 PZT-42 PZT-43 PZT-82
Dielectric Constant ɛTr3 1050 1250 1420 1100
Coupling factor  KP 0.58 0.58 0.58 0.52
K31 0.32 0.33 0.34 0.3
K33 0.66 0.67 0.68 0.57
Kt 0.48 0.48 0.48 0.4
Piezoelectric coefficient d31 10-12m/v -106 -124 -138 -100
d33 10-12m/v 260 280 300 240
g31 10-3vm/n -11.4 -11.2 -11 -10.3
g33 10-3vm/n 28 25.3 24 25
Frequency coefficients Np 2280 2200 2160 2280
N1 1671 1613 1583 1671
N3 1950 1900 1875 1950
Nt 2250 2200 2200 2300
Elastic compliance coefficient Se11 10-12m2/n 11.8 12.7 13.2 11.6
Machanical quality factor Qm 1000 800 600 1200
Dielectric loss factor Tg δ % 0.3 0.4 0.5 0.3
Density ρ g/cm3 7.5 7.5 7.5 7.6
Curie Temperature Tc °C 320 320 320 310
Young's modulus YE11 <109N/m3 85 79 76 86
Poison Ratio 0.3 0.3 0.3 0.3

Piezo Transducers



PRODUCTOS POR GRUPO : Piezas de cerámica piezoeléctricas HIFU

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